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半導(dǎo)體和微電子


掃描電子顯微鏡（SEM）結(jié)合聚焦離子束（FIB）技術(shù)，能夠提供高精度的分析能力，成為適用于高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的理想技術(shù)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正陷入一場(chǎng)殘酷的競(jìng)爭，其目標(biāo)是邏輯器件的高集成度，高密度和微型化。這導(dǎo)致了很多新技術(shù)的發(fā)展，例如3D集成電路使得可以將廣泛的功能集成到更小，更快和更低能耗的設(shè)備中。然而，這些更復(fù)雜的集成電路需要更精密的工具來進(jìn)行開發(fā)和原型設(shè)計(jì)，檢查和失效分析，以便分析或到達(dá)感興趣的區(qū)域。

半導(dǎo)體和微電子
集成電路的失效分析
球柵陣列
硅通孔
引線焊接
顯示器
微機(jī)電系統(tǒng)
微機(jī)電系統(tǒng)
半導(dǎo)體
半導(dǎo)體
半導(dǎo)體報(bào)告

半導(dǎo)體報(bào)告

副標(biāo)題

氙離子FIB在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用
使用不同的切割方式制備TEM薄片樣品
如何更高效完成毫米級(jí)半導(dǎo)體失效分析

Lukas Hladik

TESCAN失效分析半導(dǎo)體研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，產(chǎn)品經(jīng)理


多年從事全球半導(dǎo)體行業(yè)失效分析檢測(cè)研究工作。獲得物理工程和納米技術(shù)碩士學(xué)位后，于2012年加入TESCAN ORSAY HOLDING，擔(dān)任Plasma FIB-SEM的應(yīng)用專家，專注于FIB-SEM、表征和去層/電子探針解決方案。

更高效的工具來增加半導(dǎo)體失效分析任務(wù)中的通量和靈活性
· 精彩看點(diǎn) ·
1. 從專業(yè)視角解讀如何通過超大面積和深度的截面加工助力先進(jìn)封裝、微機(jī)電器件和光電集成產(chǎn)品的分析檢測(cè)工作
2. 無Ga 污染TEM樣品制備、小于10 納米制程芯片的高質(zhì)量逐層剝離（delayering），和大尺度晶圓導(dǎo)航觀測(cè)，以實(shí)現(xiàn)微電子器件的高集成度、高密度和小型化。

Lukas Hladik

TESCAN失效分析半導(dǎo)體研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，產(chǎn)品經(jīng)理


多年從事全球半導(dǎo)體行業(yè)失效分析檢測(cè)研究工作。獲得物理工程和納米技術(shù)碩士學(xué)位后，于2012年加入TESCAN ORSAY HOLDING，擔(dān)任Plasma FIB-SEM的應(yīng)用專家，專注于FIB-SEM、表征和去層/電子探針解決方案。

使用正切、反切和平面切割方式制備邏輯和存儲(chǔ)器件的TEM薄片樣品
                              · 精彩看點(diǎn) ·
在制備邏輯和存儲(chǔ)器件的TEM薄片樣品中，越來越精細(xì)的尺寸導(dǎo)致必須使用反切TEM薄片的方式才能獲得10納米以下的樣品厚度。由于缺陷大小往往已達(dá)到納米級(jí)別，就需要使用STEM（掃描透射電子探測(cè)器）從平面方向上對(duì)TEM薄片進(jìn)行觀測(cè)。因此，TEM薄片提取過程可能需要多個(gè)操作步驟，甚至需要將樣品室泄真空后再倒置或平面放置樣品。TESCAN SOLARIS通過一種專利設(shè)置解決了這些問題，只需一步，結(jié)合AUTO SLICING就可完成倒切。
半導(dǎo)體市場(chǎng)部的產(chǎn)品營銷總監(jiān)
Jozef Vincenc Obona 博士

獲得Slovak Academy of Sciences (Slovakia) 低溫電子學(xué)博士學(xué)位后，多年從事半導(dǎo)體失效分析(生產(chǎn)線前端、后端和封裝應(yīng)用)的經(jīng)驗(yàn)，并與半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)袖一直保持溝通。他在FIB-SEM方面擁有超過13年的工作經(jīng)驗(yàn)，在西班牙薩拉戈薩的阿拉貢納米科學(xué)研究院（Instituto de Nanociencia de Aragon）、荷蘭格羅寧根大學(xué)（University of Groningen）以及特溫特大學(xué)（University of Twente）進(jìn)行了5年的超短激光脈沖處理應(yīng)用研究，擁有3項(xiàng)專利并發(fā)表了52篇論文。     點(diǎn)擊此處觀看回放》》》
如何結(jié)合等離子FIB刻蝕和激光燒蝕，更高效完成毫米級(jí)半導(dǎo)體失效分析

 · 精彩看點(diǎn) ·


長期以來，提高性能和降低功耗是電子器件設(shè)計(jì)的基本要求，這需要通過器件構(gòu)件（晶體管、存儲(chǔ)單元等）的小型化、信號(hào)通路的減少（將多個(gè)組件集成在一個(gè)先進(jìn)封裝中）以及優(yōu)化其它組件（包括顯示器、射頻、微機(jī)電系統(tǒng)和電池）來實(shí)現(xiàn)。

開發(fā)新產(chǎn)品是一件非常具有挑戰(zhàn)性的工作，快速失效分析（FA）有助于確定缺陷的基本原因并向研發(fā)人員提供有效的反饋，以保證產(chǎn)品的上市時(shí)間和可靠性。對(duì)封裝、先進(jìn)封裝、顯示器、射頻、微機(jī)電系統(tǒng)以及電池進(jìn)行快速失效分析時(shí)，往往需要在樣品表面以下幾百微米甚至于幾毫米尋找缺陷位置。由于樣品結(jié)構(gòu)的特殊性，需要對(duì)樣品進(jìn)行大面積的刻蝕以制備出截面才能夠?qū)μ囟ǖ娜毕菸恢眠M(jìn)行分析。因此，近10年來等離子FIB被普遍使用在這個(gè)過程中并受到了行業(yè)的廣泛認(rèn)可。然而，近年來隨著器件結(jié)構(gòu)越趨復(fù)雜、缺陷深度顯著增加以及必須更快速獲得分析結(jié)果等原因，對(duì)等離子FIB的能力提出了更高的要求。使用激光燒蝕可以將前期制樣速度提升數(shù)千倍，因此將激光燒蝕技術(shù)加入到等離子FIB工作流程中不僅可以更快獲得高質(zhì)量的分析結(jié)果，同時(shí)也開啟與實(shí)驗(yàn)室中不同類型設(shè)備協(xié)同合作的新篇章。

在本次研討會(huì)上，將為您介紹 TESCAN 樣品大體積制備的工作流程。使用不同尺寸的要求苛刻的樣品進(jìn)行演示，樣品包括復(fù)雜器件和不導(dǎo)電硬質(zhì)材料，您可以看到非常靈活的工作流程。我們將為您展示如何結(jié)合超高分辨掃描電鏡成像系統(tǒng)快速進(jìn)行沒有偽影的樣品制備并揭示樣品的真實(shí)細(xì)節(jié)。